Компания Micron Technology объявила о том, что уже отправила первые образцы накопителей UFS 4.0 избранным мировым производителям смартфонов и поставщикам чипсетов. Новая спецификация будет использоваться для производства флэш-накопителей объёмом 256 и 512 ГБ, а также 1 ТБ.
Все новые накопители Micron построены на базе 232-слойной флэш-памяти 3D TLC NAND. По заявлению компании, архитектура с шестью массивами (первое в мире решение) обеспечивает более высокую пропускную способность чтения (+75%) и записи (+100%), а также лучшую производительность при операциях чтения. Так, например, самые быстрые образцы показали результаты последовательного чтения и записи на уровне 4300 и 4000 Мбайт/с соответственно. Это выше, чем у Samsung с аналогичной памятью UFS 4.0, в особенности, что касается записи.
Кроме того, новые накопители Micron на 25% более энергоэффективные, поэтому можно дольше пользоваться приложениями, интенсивно использующими данные, без необходимости частой зарядки мобильного устройства. По сравнению с конкурентами, изделия обеспечивают снижение задержки записи на 10%, что приводит к сверхбыстрому отклику приложений. На практике это будет заметно во время загрузки потокового контента.
Micron делает свои модули UFS 4.0 очень тонкими благодаря 232-слойным чипам памяти 3D TLC NAND. Их толщина не превышает 0,9 мм, что позволяет производителям мобильных устройств выпускать тонкие аппараты, либо использовать пространство для аккумуляторов большей ёмкости. Массовый выпуск накопителей начнётся только во второй половине текущего года, поэтому пройдёт некоторое время, прежде чем на рынке появятся первые смартфоны с внутренней памятью стандарта UFS 4.0 от Micron.
